测试技术
功率器件是电子元件和电子器件的总称，是电子装置中，电能转换与电路控制的核心，它利用半导体单向导电的特性改变电子装置中电压、频率、相位和直流交流转换等的功能。而大功率器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上，输出功率比较大的电子元器件。典型的大功率器件包括大功率二极管、晶闸管SCR、双极型功率晶体管IGBT、功率晶体管GTR、IGCT、GTO、ETO、SIT等。功率半导体被广泛应用于新能源(风电、光伏、电动汽车)、消费电子、智能电网、轨道交通等行业领域。IGBT和MOSFET作为主要的电力电子器件，在计算机、通讯、等领域被广泛应用。以氮化镓(GaN) 为核心的射频半导体，支撑着5G基站及工业互联网系统的建设；以碳化硅(SiC)以及IGBT为核心的功率半导体，支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。
在功率半导体的市场空间的稳步增长推动下，半导体性能要求不断提高，如何保证选用的高速功率器件并在高温、强辐射、大功率环境下能稳定可靠的运行，这给设计工程师带来了非常大的测试挑战，我们需要了解功率器件的动态特性：
高功率分离式元件（例如功率电晶体、功率二极体、闸流体等且元件方向性为垂直／横向者）或高功率放大器之电性量测皆属高功率元件测试。以 500 V（高电压）以上及／或 1 A（高电流）以上之脉衝或直流电进行量测。高功率元件的晶圆特性描述应用面临以下挑战：晶圆载台至晶圆背面之接触电阻/高电流元件金属垫层烧坏毁损/在高电压及各温度条件下进行低漏电流量测/高电压电弧/薄晶圆处理/安全的测试环境。
**半导体样品：GaN
针座移动精度0.6um，卡盘漏流≤100fA，卡盘与显微镜XYZ移动精度为0.1um，耐压3K-10KV，耐温200℃。
1. 手动上片：软件操控将卡盘移出，手动将晶圆放置卡盘，打开吸附开关吸附晶圆后将卡盘移至腔体，操控卡盘移回原位。
2. 软件控制操控电机移动卡盘与显微镜上下移动，直至可初步看清晶圆表面，可使用自动聚焦功能快速聚焦表面。
3. 使用自动拉直功能调整晶圆旋转直至水平。
4. 使用高压夹具与三轴探针，精确扎在相应PAD上。
5. 检查探针与PAD接触情况、测试仪的连接情况，在扎针处滴上氟油防止高压打火后施加电信号进行测试。
1. 卡盘与显微镜均由软件操控电机移动，移动精度为0.1um。
2. 内置3 zoom多视野、三倍率同焦光路系统，大小多视场同时显示，极其便捷的点针体验。
3. 使用高压卡盘，高压夹具与分流探针可承载功率测试时大电压，大电流情况。
4. 内置一体化高性能震动隔离平台，外置隔离栏，避免操作人员造成的震动，迅捷的震动恢复时间<1s，可提供测试所需的高稳定性环境。
水平器件测试（垂直器件可使用卡盘背电极进行测试）
